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Resumen

Descripción

Molecular dynamics computer simulation of the deposition of a single copper atom with

a kinetic energy of 1 eV on a copper surface. Technical details: cross section of two atom layers in the middle of a larger (10x10x10 unit cells) 3D simulation cell. Simulation made with Sabochick-Lam embedded-atom method potential, Berendsen temperature control used only at the outer boundaries to scale temperature down to 0 K. Initial temperature 0 K (cell prerelaxed to allow for surface relaxation inwards). This kind of processes occur in reality during physical vapour deposition.
Fecha
Fuente Trabajo propio
Autor Knordlun

Licencia

Public domain Este trabajo ha sido liberado al dominio público por su autor, I, Knordlun. Esto aplica para todo el mundo.
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I, Knordlun otorga a cualquier persona el derecho de usar este trabajo para cualquier propósito, sin ningún tipo de condición, a menos que éstas sean requeridas por la ley.

Leyendas

Simulación por ordenador de dinámica molecular de la deposición de un solo átomo de cobre con una energía cinética de 1 eV sobre una superficie de cobre.

Elementos representados en este archivo

representa a

suma de verificación

b119ad0d4852472aed1fb37c60c3b4c9c64b6147

método de determinación: SHA-1

duración

18,699999999999996 segundo

altura

380 píxel

ancho

320 píxel

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Fecha y horaMiniaturaDimensionesUsuarioComentario
actual12:39 30 jul 2007Miniatura de la versión del 12:39 30 jul 2007320 × 380 (669 kB)Knordlun{{Information |Description=Molecular dynamics computer simulation of the deposition of a single copper atom on a copper surface. Technical details: cross section of two atom layers in the middle of a larger 3D simulation cell. Simulation made with Sabochi

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