English: The exposure of a leading EUV chemically amplified resist by an 80 eV flood electron beam can lead to resist thickness loss up to ~7.5 nm. The 80 eV represents typical EUV photoelectron energy, so resist dimensions requiring control to within ~15 nm would be affected. Ref.: Y. Kandel et al., Proc. SPIE 10143, 101430B (2017).
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