Antimoniuro de galio
| Antimoniuro de galio | ||
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| Nombre IUPAC | ||
| Antimoniuro de galio | ||
| General | ||
| Fórmula semidesarrollada | GaSb | |
| Fórmula molecular | ? | |
| Identificadores | ||
| Número CAS | [12064-03-08][1] | |
| ChemSpider | 7969892 3436915, 7969892 | |
| PubChem | 4227894 | |
| Propiedades físicas | ||
| Densidad | 5619 kg/m³; 5,619 g/cm³ | |
| Masa molar | 191,5 g/mol | |
| Punto de fusión | 983 K (710 °C) | |
| Estructura cristalina | sistema cristalino cúbico | |
| Propiedades químicas | ||
| Solubilidad en agua | Insoluble | |
| Valores en el SI y en condiciones estándar (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario. | ||
El antimoniuro de galio (GaSb) es un semiconductor binario de la familia de semiconductores III-V.
Se caracteriza por tener una banda prohibida o gap de aproximadamente 0.72 eV a 300 K.
Se suele utilizar para fabricar dispositivos optoelectrónicos que trabajen en el rango de longitudes de onda infrarrojas, como detectores o células termofotovoltaicas.
Referencias[editar]
- ↑ [12064-03-08 Número CAS]
| Control de autoridades |
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Datos: Q418807