Fosfuro de indio

Fosfuro de indio
General
Otros nombres	fosfuro de indio (III)
Fórmula molecular	InP
Identificadores
Número CAS	22398-80-7
	InChI InChI=InChI=1S/In.P; Key: GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Densidad	4810 kg/m³; 4,81 g/cm³
Masa molar	145,792 g/mol
Punto de fusión	1062 °C (1335 K)
Estructura cristalina	cúbico
Índice de refracción (nD)	3.1 (infrarrojo)
Conductividad térmica	0.68
Banda prohibida	1.344 eV
	Valores en el SI y en condiciones estándar; (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.
	[editar datos en Wikidata]

El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio.

Propiedades[editar]

El compuesto posee una estructura cristalina cúbica de cristales negros, ligeramente verdes.

El InP tiene una banda prohibida directa, además de una alta velocidad de deriva, mayor que las del silicio o germanio.^[2]

Aplicaciones[editar]

Sus propiedades de banda prohibida y alta velocidad electrónica lo hacen adecuado para construir dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad como diodos laser, pero debido a dificultades en su utilización, actualmente solo se utiliza como substrato, para el arseniuro de indio-galio, ya que su Estructura cristalina tiene el mismo tamaño que este, 5,87 ángstroms^[3]