Intel 1103

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Intel 1103

Celda de memoria usada en el integrado Intel 1103, fue la primera memoria comercialmente disponible.
Tipo Memoria DRAM usando transistores p-MOS de 10 μm
Principio de funcionamiento Capacidad eléctrica
Invención Intel, William Regitz y otros
Primera producción Octubre 1970
Terminales 18 pines DIP
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El Intel 1103 es el primer chip de memoria dinámica de acceso aleatorio conocido, y esta ampliamente reconocido como el chip que reemplazó a la memoria de núcleos magnéticos.[1]​ Aunque los primeros chips se fabricaron en octubre de 1970, el rendimiento durante su fabricación fue bajo inicialmente, el 1103 no tuvo una disponibilidad comercial amplia hasta mediados de 1971 cuando fue integrado en los nuevos sistemas diseñados por las grandes empresas del momento como Motorola, Fairchild, National y Signetics.[2]​

Desarrollo[editar]

En 1969, William Regitz y sus colegas en Honeywell inventaron una celda de memoria dinámica usando tres transistores y comenzaron a sondear la industria de semiconductores en busca de un fabricante. La recién fundada Corporación Intel aceptó desarrollar y fabricar un chip de 1024 bits diseñado por Joel Karp y William Regitz. La primera versión fue el i1102, pero aunque se consiguieron producir algunos prototipos funcionales, debido a numerosos problemas de diseño, el i1102 no llegó a comercializarse.[3]​ Leslie Vadaz y Joel Karp diseñaron la versión preliminar del i1103 y el encargado del diseño final fue Bob Abbott. El producto final salió por primera vez al mercado en 1970. Inicialmente el rendimiento de producción fue extremadamente bajo. De media se obtenían tan solo dos chips funcionales por cada oblea. John Reed, el ingeniero de producción, tuvo que realizar un gran número de revisiones al producto antes de empezar a obtener rendimientos de producción y funcionamiento aceptables.[4]​

Impacto económico[editar]

El i1103 fue el primer chip de memoria dinámica de acceso aleatorio y comercialmente fue un éxito. Gracias a su relativamente bajo precio el i1103 fue adoptado por la mayoría de fabricantes y reemplazó rápidamente a las memorias de núcleo magnético en multitud de aplicaciones.[5]​ En 1971, un año después de que saliera por primera vez al mercado las grandes empresas del momento como Motorola, Fairchild, National y Signetics ya integraban el i1103 en sus nuevos diseños.[2]​ Intel realizó una campaña de marketing en la que aseguraba que las memorias de núcleo magnético habían perdido la guerra contra su nuevo chip. En junio de 1971 Intel ya había vendido 52.000 memorias i1103 y a finales de 1972 el i1103 era utilizado por 14 de los 18 fabricantes de computadoras del momento en Estados Unidos, Europa y Japón y se convirtió en el chip con mayor volumen de ventas.[2]​ Intel utilizó estos ingresos para aumentar su capacidad de producción y en el año 1974 Electronic News estimó que Intel controlaba el 70% del mercado del 1103. Los únicos competidores eran Microsystems internationa limited, que había licenciado el proceso de diseño en silicio a Intel por dos millones de dólares y American Microsystems que se estimaba controlaba el 20% del mercado.[2]​ Intel fue capaz de mantener su posición dominante de mercado en la fabricación del 1103 y en el año 1983 alcanzó un millardo de dólares en ventas.[6]​

Especificaciones técnicas[editar]

tRWC 580 ns Tiempo para ciclo de lectura o escritura aleatoria (desde un borde de precarga +ve hasta el siguiente)
tPO 300 ns Tiempo de acceso: Desde precarga alto hasta salida válida de datos
tREF 2 ms Tiempo de refresco de memoria
VCC 16 V Voltage de alimentación
p-MOS 10 µm Proceso de producción (compuerta de silicio MOSFET)
Capacidad 1024x1 Capacidad x ancho del bus
encapsulado DIP 18 pines Encapsulado de plástico de 18 pines

[5]​

Referencias[editar]

  1. ↑ Mary Bellis, The Invention of the Intel 1103 Archivado el 14 de marzo de 2020 en Wayback Machine.
  2. ↑ a b c d Knox Bassett, Ross (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology To the Digital Age. JHU Press. p. 195. ISBN 0801886392. Consultado el 15 de diciembre de 2015. 
  3. ↑ Computer History Museum: "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie March 3, 2003 | Atherton, California
  4. ↑ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering (en inglés). Springer Science & Business Media. pp. 361-362. ISBN 3540342583. Consultado el 18 de diciembre de 2015. 
  5. ↑ a b Jacob, Bruce; Ng, Spencer; Wang, David (2010). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk (en inglés). Morgan Kaufmann. p. 461. ISBN 0080553842. Consultado el 18 de diciembre de 2015. 
  6. ↑ Krishnadas, Devadas (15 de julio de 2015). Mi biblioteca Mi historial Libros en Google Play FUSE: Foresight-driven Understanding, Strategy and Execution: Move The Future (en inglés). Marshall Cavendish International Asia Pte Ltd. ISBN 981472145X. Consultado el 18 de diciembre de 2015. 
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